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C=C双键对氟化非晶碳薄膜I-V特性的影响

叶超 宁兆元 程珊华 辛煜 许圣华

物理学报2004,Vol.53Issue(5):1496-1500,5.
物理学报2004,Vol.53Issue(5):1496-1500,5.

C=C双键对氟化非晶碳薄膜I-V特性的影响

Effect of C=C content on I-V characteristics of fluorinated amorphous carbon thin films

叶超 1宁兆元 1程珊华 1辛煜 1许圣华1

作者信息

  • 1. 苏州大学物理科学与技术学院,苏州,215006
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摘要

关键词

氟化非晶碳(a-C:F)薄膜/直流伏安特性/C=C双键

分类

数理科学

引用本文复制引用

叶超,宁兆元,程珊华,辛煜,许圣华..C=C双键对氟化非晶碳薄膜I-V特性的影响[J].物理学报,2004,53(5):1496-1500,5.

基金项目

江苏省高校省级重点实验室开放课题(批准号:K.JS01012)和国家自然科学基金(批准号:10175048)资助的课题. (批准号:K.JS01012)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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