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Mg、Zn掺杂AlN电子结构的第一性原理计算

张丽敏 范广涵 丁少锋

物理化学学报2007,Vol.23Issue(10):1498-1502,5.
物理化学学报2007,Vol.23Issue(10):1498-1502,5.

Mg、Zn掺杂AlN电子结构的第一性原理计算

First-principles Calculation of AlN Electronic Structure by Doping with Mg and Zn

张丽敏 1范广涵 1丁少锋1

作者信息

  • 1. 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631
  • 折叠

摘要

关键词

AlN/p型掺杂/电子结构/密度泛函理论/第一性原理

分类

化学化工

引用本文复制引用

张丽敏,范广涵,丁少锋..Mg、Zn掺杂AlN电子结构的第一性原理计算[J].物理化学学报,2007,23(10):1498-1502,5.

基金项目

国家自然科学基金(50602018)、广东省自然科学基金(06025083)、广东省科技攻关计划(2006A10802001)和广州市科技攻关重大项目(2004U13D0021)资助 (50602018)

物理化学学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6818

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