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RF MEMS器件时变结构电磁特性数值计算方法

吴银锋 万江文 冯仁剑

电工技术学报2008,Vol.23Issue(4):1-5,5.
电工技术学报2008,Vol.23Issue(4):1-5,5.

RF MEMS器件时变结构电磁特性数值计算方法

A Numerical Method for Calculating Electromagnetic Character of RF MEMS Devices With Time-Varying Structures

吴银锋 1万江文 2冯仁剑2

作者信息

  • 1. 北京邮电大学自动化学院,北京,100876
  • 2. 北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院,北京,100083
  • 折叠

摘要

关键词

RF MEMS器件/电磁特性/时变结构/线性插值

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吴银锋,万江文,冯仁剑..RF MEMS器件时变结构电磁特性数值计算方法[J].电工技术学报,2008,23(4):1-5,5.

基金项目

国家高技术研究发展计划(863计划)专项经费(2006AA01Z 222)和北京市自然科学基金(3083024)资助项目. (863计划)

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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