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半导体量子阱材料的调制光谱研究

钱士雄 Ande.,TG

半导体学报Issue(3):150,1.
半导体学报Issue(3):150,1.

半导体量子阱材料的调制光谱研究

钱士雄 1Ande.,TG1

作者信息

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摘要

关键词

InGaAs/GaAs/量子阱/调制光谱

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

钱士雄,Ande.,TG..半导体量子阱材料的调制光谱研究[J].半导体学报,1991,(3):150,1.

半导体学报

OACSCD

1674-4926

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