半导体学报2004，Vol.25Issue(11)：1500-1504,5.
ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响
Influence of Etching Parameters on Sidewall Roughness of Silicon Based Waveguide Etched by Inductively Coupled Plasma
摘要
关键词
SOI/ICP/粗糙度/脊形光波导分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
樊中朝,余金中,陈少武,杨笛,严清峰,王良臣..ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响[J].半导体学报,2004,25(11):1500-1504,5.基金项目
国家自然科学基金(批准号:69896260),国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000366),及国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312060)资助项目 （批准号:69896260）
