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带有快速启动的高精密低噪声CMOS带隙基准

张强 陈贵灿 田泽 王进军 李攀

现代电子技术2007,Vol.30Issue(20):150-153,4.
现代电子技术2007,Vol.30Issue(20):150-153,4.

带有快速启动的高精密低噪声CMOS带隙基准

High- Precision Low- Noise CMOS Bandgap Reference with a Fast Start- up Circuit

张强 1陈贵灿 2田泽 1王进军 1李攀1

作者信息

  • 1. 西北大学,信息学院,陕西,西安,710127
  • 2. 西安交通大学,微电子研究所,陕西,西安,710049
  • 折叠

摘要

关键词

CMOS/带隙基准/低噪声/电源抑制比/软启动电路/快速启动电路

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张强,陈贵灿,田泽,王进军,李攀..带有快速启动的高精密低噪声CMOS带隙基准[J].现代电子技术,2007,30(20):150-153,4.

基金项目

陕西省科技攻关项目(2004k05-G11) (2004k05-G11)

美国应用材料创新基金资助项目(ZX05097-XA-AM-200514) (ZX05097-XA-AM-200514)

现代电子技术

OACSTPCD

1004-373X

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