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C掺杂对离子注入合成β-FeSi2薄膜的影响

李晓娜 聂冬 董闯 徐雷 张泽

半导体学报2001，Vol.22Issue(12)：1507-1515,9.
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半导体学报2001，Vol.22Issue(12)：1507-1515,9.

C掺杂对离子注入合成β-FeSi2薄膜的影响

Influences of Carbon Doping on β-FeSi2 Film Synthesized by Ion Implantation

李晓娜 1聂冬 2董闯 1徐雷 1张泽3

作者信息

  • 1. 三束材料改性国家重点联合实验室大连理工大学分部,大连理工大学材料工程系,大连,116024
  • 2. 中国科学院北京电子显微镜实验室,北京,100080
  • 3. 三束国家重点联合实验室复旦大学分部,上海,200433
  • 折叠

摘要

关键词

β-FeSi2/半导体薄膜/金属硅化物/离子注入/透射电子显微镜

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李晓娜,聂冬,董闯,徐雷,张泽..C掺杂对离子注入合成β-FeSi2薄膜的影响[J].半导体学报,2001,22(12):1507-1515,9.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(批准号:59872007). （批准号:59872007）

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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