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掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究

王平 杨燕 杨银堂 屈汉章 崔占东 付俊兴

电子学报2005,Vol.33Issue(8):1512-1515,4.
电子学报2005,Vol.33Issue(8):1512-1515,4.

掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究

An Ensemble Monte Carlo Study of Electron Transport in Nitrogen-Doped 4H-SiC

王平 1杨燕 1杨银堂 1屈汉章 2崔占东 3付俊兴1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,陕西西安,710071
  • 2. 西安邮电学院信控系,陕西西安,710061
  • 3. 中国电子科技集团公司第13研究所,河北石家庄,050051
  • 折叠

摘要

关键词

4H-SiC/蒙特卡罗研究/中性杂质散射/饱和漂移速度

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王平,杨燕,杨银堂,屈汉章,崔占东,付俊兴..掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究[J].电子学报,2005,33(8):1512-1515,4.

基金项目

教育部重点资助项目(No.02074) (No.02074)

国防科技预研基金(No.51408010601DZ1032) (No.51408010601DZ1032)

电子学报

OA北大核心CSCD

0372-2112

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