物理学报2006，Vol.55Issue(3)：1512-1516,5.
Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管制备及存储特性
Memory characteristics of metal-ferroelectric-semiconductor field-effect-transistors with Ag/Bi4Ti3O12/p-Si gate
摘要
关键词
铁电场效应晶体管/Bi4Ti3O12/存储特性/溶胶-凝胶工艺分类
数理科学引用本文复制引用
王华,任鸣放..Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管制备及存储特性[J].物理学报,2006,55(3):1512-1516,5.基金项目
国家自然科学基金(批准号:50262001)和广西壮族自治区自然科学基金(批准号: 0236062)资助的课题. （批准号:50262001）
