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从P-a-SiC:H到P-μc-Si:H过程中材料特性的变化

朱锋赵颖张晓丹孙建魏长春任慧智耿新华

人工晶体学报2004，Vol.33Issue(2)：152-155,4.

Change of Material Properties in the Process from P-a-SiC:H to P-μc-Si:H

朱锋 ¹赵颖 ¹张晓丹 ¹孙建 ¹魏长春 ¹任慧智 ¹耿新华¹

作者信息

RF-PECVD/P型微晶硅/P型非晶硅碳

信息技术与安全科学

朱锋,赵颖,张晓丹,孙建,魏长春,任慧智,耿新华..从P-a-SiC:H到P-μc-Si:H过程中材料特性的变化[J].人工晶体学报,2004,33(2):152-155,4.

国家科技部重大基础研究项目资助(G2000028203,G2000028202) （G2000028203,G2000028202）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1000-985X

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