高性能42nm栅长CMOS器件

徐秋霞钱鹤韩郑生刘明侯瑞兵陈宝钦蒋浩杰赵玉印吴德馨

半导体学报2003，Vol.24Issue(z1)：153-160,8.

High Performance 42nm Gate Length CMOS Device

徐秋霞 ¹钱鹤 ¹韩郑生 ¹刘明 ¹侯瑞兵 ¹陈宝钦 ¹蒋浩杰 ¹赵玉印 ¹吴德馨¹

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42nm栅长/CMOS器件/超陡倒掺杂/灰化工艺/高选择比/高各向异性/Co/Ti自对准硅化物

信息技术与安全科学

徐秋霞,钱鹤,韩郑生,刘明,侯瑞兵,陈宝钦,蒋浩杰,赵玉印,吴德馨..高性能42nm栅长CMOS器件[J].半导体学报,2003,24(z1):153-160,8.

国家重点基础研究资助项目(No.G2000036504) （No.G2000036504）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1674-4926

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