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CMOS集成电路用φ150-200mm外延硅材料

王启元 林兰英 何自强 龚义元 蔡田海 郁元桓 何龙珠 高秀峰 王建华 邓惠芳

半导体学报2001，Vol.22Issue(12)：1538-1542,5.
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半导体学报2001，Vol.22Issue(12)：1538-1542,5.

CMOS集成电路用φ150-200mm外延硅材料

Φ150-200mm Epitaxial Silicon Materials Applied to CMOS Integrated Circuits

王启元 1林兰英 1何自强 2龚义元 2蔡田海 1郁元桓 1何龙珠 2高秀峰 2王建华 1邓惠芳1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京,100083
  • 2. 中国科学院微电子中心,北京,100029
  • 折叠

摘要

关键词

硅/外延生长/CMOSEEACC:2520C/0520

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王启元,林兰英,何自强,龚义元,蔡田海,郁元桓,何龙珠,高秀峰,王建华,邓惠芳..CMOS集成电路用φ150-200mm外延硅材料[J].半导体学报,2001,22(12):1538-1542,5.

基金项目

"九五"国家重点科技攻关计划资助项目. （）

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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