半导体学报2008，Vol.29Issue(8)：1557-1560,4.
MOS AlGaN/GaN HEMT研制与特性分析
Development and Characteristic Analysis of MOS AIGaN/GaN HEMTs
摘要
关键词
高电子迁移率晶体管/AIGaN/GaN/介质栅分类
电子信息工程引用本文复制引用
王冲,岳远征,马晓华,郝跃,冯倩,张进城..MOS AlGaN/GaN HEMT研制与特性分析[J].半导体学报,2008,29(8):1557-1560,4.基金项目
国家自然科学基金资助项目(批准号:60736033) （批准号:60736033）
