脉冲激光烧蚀Ge产生等离子体特性的数值模拟OA北大核心CSCDCSTPCD
Numerical simulation on plasma characteristics of Ge ablated by pulse laser
针对激光烧蚀半导体材料Ge初期的特点,建立了1维的热传导和流体动力学模型.对波长为248 nm、脉宽为17 ns、峰值功率密度为4×108 W/cm2的KrF脉冲激光在133.32 Pa氦气环境下烧蚀Ge产生等离子体的特性进行了数值模拟.结果表明:单个激光脉冲对靶的烧蚀深度达到55 nm,蒸气膨胀前端由于压缩背景气体产生压缩冲击波, 波前的速度最大,温度很高.从不同时刻的电离率分布图中得出,在靶面附近区域,Ge的1阶电离始终占优势;在中心区域,脉…查看全部>>
许媛;吴东江;刘悦
大连理工大学,物理与光电工程学院,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116085黄山学院,信息工程学院,安徽,黄山,245021大连理工大学,物理与光电工程学院,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116085
数理科学
脉冲激光沉积脉冲激光烧蚀等离子体晶体锗
《强激光与粒子束》 2007 (9)
1561-1566,6
辽宁省自然科学基金资助课题(20062172)
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