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高指数稳定硅表面的低能电子衍射图分析

姜金龙 李文杰 周立 赵汝光 杨威生

物理学报2003,Vol.52Issue(1):156-162,7.
物理学报2003,Vol.52Issue(1):156-162,7.

高指数稳定硅表面的低能电子衍射图分析

Investigation of stable high-index silicon surfaces by means of LEED pattern analysis

姜金龙 1李文杰 1周立 1赵汝光 1杨威生1

作者信息

  • 1. 北京大学物理系,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871
  • 折叠

摘要

关键词

/高指数表面/近邻面/原胞小面化/低能电子衍射(LEED)

分类

数理科学

引用本文复制引用

姜金龙,李文杰,周立,赵汝光,杨威生..高指数稳定硅表面的低能电子衍射图分析[J].物理学报,2003,52(1):156-162,7.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:19634010)资助的课题. (批准号:19634010)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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