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衬底温度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响

陈新亮 薛俊明 张德坤 孙建 任慧志 赵颖 耿新华

物理学报2007,Vol.56Issue(3):1563-1567,5.
物理学报2007,Vol.56Issue(3):1563-1567,5.

衬底温度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响

Effect of substrate temperature on the ZnO thin films as TCO in solar cells grown by MOCVD technique

陈新亮 1薛俊明 1张德坤 1孙建 1任慧志 1赵颖 1耿新华1

作者信息

  • 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所和天津市重点实验室,南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071
  • 折叠

摘要

关键词

MOCVD/ZnO薄膜/透明导电氧化物/太阳电池

分类

数理科学

引用本文复制引用

陈新亮,薛俊明,张德坤,孙建,任慧志,赵颖,耿新华..衬底温度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响[J].物理学报,2007,56(3):1563-1567,5.

基金项目

天津市自然科学基金(批准号:043604911)和天津市科技攻关项目(批准号:043186511)资助的课题. (批准号:043604911)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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