半导体学报2008，Vol.29Issue(8)：1566-1569,4.
双栅双应变沟道全耗尽SOI CMOS的瞬态特性分析
Transient Characteristic Analysis of a Double-Gate Dual-Strained-Channel SOI CMOS
摘要
关键词
双栅/双应变沟道/CMOS分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
孙立伟,高勇,杨媛,刘静..双栅双应变沟道全耗尽SOI CMOS的瞬态特性分析[J].半导体学报,2008,29(8):1566-1569,4.基金项目
西安-应用材料创新基金资助项目(批准号:XA-AM-200514) （批准号:XA-AM-200514）
