半导体学报2005，Vol.26Issue(8)：1567-1571,5.
Ga掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长及其特性
MOCVD Growth and Properties of Ga-Doped ZnO Films
摘要
关键词
氧化锌/掺杂/Burstein-Moss效应/能带重整化/金属有机化学气相外延分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
朱顺明,叶建东,顾书林,刘松民,郑有炓,张荣,施毅..Ga掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长及其特性[J].半导体学报,2005,26(8):1567-1571,5.基金项目
国家重点基础研究发展规划(批准号:G001CB3095),国家自然科学基金(批准号:60276011,60390073)和国家高技术研究发展计划(批准号: 2002AA311060)资助项目 （批准号:G001CB3095）
