半导体学报2007，Vol.28Issue(10)：1568-1573,6.
蓝宝石衬底上原子级光滑AlN外延层的MOCVD生长
Epitaxial Growth of Atomically Flat AlN Layers on Sapphire Substrate by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
赵红 1邹泽亚 1赵文伯 2刘挺 1杨晓波 1廖秀英 1王振 1周勇 1刘万清1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团第四十四研究所,重庆,400060
- 2. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
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摘要
关键词
MOCVD/AlN/极性/原子级光滑分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
赵红,邹泽亚,赵文伯,刘挺,杨晓波,廖秀英,王振,周勇,刘万清..蓝宝石衬底上原子级光滑AlN外延层的MOCVD生长[J].半导体学报,2007,28(10):1568-1573,6.
