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Si(111)衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系

朱军山 徐岳生 郭宝平 刘彩池 冯玉春 胡加辉

半导体学报2005，Vol.26Issue(8)：1577-1581,5.
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半导体学报2005，Vol.26Issue(8)：1577-1581,5.

Si(111)衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系

Relation Between Morphology of GaN on an Si(111) and AlN Buffer Layer Grown Temperature

朱军山 1徐岳生 2郭宝平 1刘彩池 2冯玉春 1胡加辉2

作者信息

  • 1. 河北工业大学材料学院,天津,300130
  • 2. 深圳大学光电子学研究所,光电子器件与系统教育部重点实验室,深圳,518060
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摘要

关键词

MOCVD/GaN/缓冲层

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

朱军山,徐岳生,郭宝平,刘彩池,冯玉春,胡加辉..Si(111)衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系[J].半导体学报,2005,26(8):1577-1581,5.

基金项目

广东省关键领域重点突破基金资助项目(批准号:2B2003A107) （批准号:2B2003A107）

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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