半导体学报2005，Vol.26Issue(z1)：158-160,3.
氮化镓基发光二极管的发光光谱和功率特性
Characteristics of Domain Wavelength and Light Output-Power of GaN-Based LED
张书明 1朱建军 1李德尧 1杨辉1
作者信息
- 1. 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083
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摘要
关键词
氮化镓/发光二极管/压电效应/波长移动分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张书明,朱建军,李德尧,杨辉..氮化镓基发光二极管的发光光谱和功率特性[J].半导体学报,2005,26(z1):158-160,3.
