半导体学报2001，Vol.22Issue(12)：1586-1591,6.
PMOSFET's热载流子退化模拟及寿命评估的统一模型
A Unified Model for Hot-Carrier-Induced Degradation Simulation and Lifetime Prediction of PMOSFET's
摘要
关键词
PMOS器件/热载流子退化/退化模拟/寿命评估分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张进城,郝跃,朱志炜..PMOSFET's热载流子退化模拟及寿命评估的统一模型[J].半导体学报,2001,22(12):1586-1591,6.基金项目
国防预先研究资助项目(项目编号:8.5.3.4). （项目编号:8.5.3.4）
