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国产高效GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的低能质子辐射效应

王荣 刘运宏 孙旭芳 崔新宇

半导体学报2007，Vol.28Issue(10)：1599-1602,4.
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半导体学报2007，Vol.28Issue(10)：1599-1602,4.

国产高效GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的低能质子辐射效应

Low-Energy Proton Irradiation Effects of GaInP/GaAs/Ge Triple-Junction Solar Cells for Space Use

王荣 1刘运宏 1孙旭芳 1崔新宇2

作者信息

  • 1. 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,北京,100875
  • 2. 中国电子科技集团公司第十八研究所,天津,300381
  • 折叠

摘要

关键词

GaInP/GaAs/Ge太阳电池/质子辐照/光谱响应

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王荣,刘运宏,孙旭芳,崔新宇..国产高效GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的低能质子辐射效应[J].半导体学报,2007,28(10):1599-1602,4.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:10675023)和北京市自然科学基金(批准号:1052009)资助项目 （批准号:10675023）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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