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npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析

龚欣 马琳 张晓菊 张金凤 杨燕 郝跃

半导体学报2006，Vol.27Issue(9)：1600-1603,4.
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半导体学报2006，Vol.27Issue(9)：1600-1603,4.

npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析

Characteristics of npn AlGaN/GaN HBT

龚欣 1马琳 2张晓菊 1张金凤 1杨燕 1郝跃1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
  • 2. 西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071
  • 折叠

摘要

关键词

GaN/物理模型/异质结双极晶体管

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

龚欣,马琳,张晓菊,张金凤,杨燕,郝跃..npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析[J].半导体学报,2006,27(9):1600-1603,4.

基金项目

国家重大基础研究发展规划资助项目(批准号:51327020301) （批准号:51327020301）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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