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一个解析的适用于短沟SOI MOSFET's的高频噪声模型

电子学报2002，Vol.30Issue(11)：1601-1604,4.

A Closed-Form High Frequency Noise Model for Short Channel SOI MOSFETS

作者信息

1. 北京大学微电子所,北京,100871;北京大学微电子所,北京,100871;北京大学微电子所,北京,100871;香港科技大学电子工程系;北京大学微电子所,北京,100871;北京大学微电子所,北京,100871
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噪声/模型/SOI MOSFET's

信息技术与安全科学

..一个解析的适用于短沟SOI MOSFET's的高频噪声模型[J].电子学报,2002,30(11):1601-1604,4.

国家重点基础研究专项基金(No.G200036501) （No.G200036501）

国家自然科学基金(No.69910161992) （No.69910161992）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：0372-2112

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