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PECVD法在聚酰亚胺上沉积氮化硅薄膜的工艺研究

吴清鑫 于映 罗仲梓 陈光红 张春权 杨渭

集美大学学报（自然科学版）2005，Vol.10Issue(2)：160-163,4.
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集美大学学报（自然科学版）2005，Vol.10Issue(2)：160-163,4.

PECVD法在聚酰亚胺上沉积氮化硅薄膜的工艺研究

Study on Technology for the Silicon Nitride Thin Films Grown on Polyimide by PECVD

吴清鑫 1于映 1罗仲梓 2陈光红 1张春权 2杨渭2

作者信息

  • 1. 福州大学物理与信息工程学院,福建,福州,350002
  • 2. 厦门大学萨本栋微机电研究中心,福建,厦门,361005
  • 折叠

摘要

关键词

PECVD/氮化硅/聚酰亚胺/残余应力

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吴清鑫,于映,罗仲梓,陈光红,张春权,杨渭..PECVD法在聚酰亚胺上沉积氮化硅薄膜的工艺研究[J].集美大学学报（自然科学版）,2005,10(2):160-163,4.

基金项目

国家自然科学青年基金项目(60301006) （60301006）

福建省自然科学基金项目(A0310012) （A0310012）

集美大学学报（自然科学版）

1007-7405

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