半导体学报2007，Vol.28Issue(10)：1611-1614,4.
90nm硅栅过刻蚀工艺中功率对等离子体性质的影响
Effect of Power on Property of Plasma in Polysilicon Gate over Etch Process
摘要
关键词
等离子体/鞘层理论/干法刻蚀/朗谬尔探针分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张庆钊,谢长青,刘明,李兵,朱效立..90nm硅栅过刻蚀工艺中功率对等离子体性质的影响[J].半导体学报,2007,28(10):1611-1614,4.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60236010,60376020)和国家重点基础研究发展计划(批准号:G200036504)资助项目 （批准号:60236010,60376020）
