材料科学与工程学报2004，Vol.22Issue(2)：161-163,3.
UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象
Ge Segregation in Si1- x Gex Alloy Grown on Si by UHV/CVD
吴贵斌 1崔继锋 1黄靖云 1叶志镇1
作者信息
- 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027
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摘要
关键词
锗硅合金/表面偏析/表面耗尽/超高真空化学气相沉积分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
吴贵斌,崔继锋,黄靖云,叶志镇..UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象[J].材料科学与工程学报,2004,22(2):161-163,3.
