原子能科学技术2000，Vol.34Issue(2)：161-165,5.
功率MOS器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟
PSPICE Simulation for Single Event Gate Rupture of Power MOSFET
唐本奇 1王燕萍 1耿斌 1陈晓华1
作者信息
- 1. 西北核技术研究所,陕西,西安,710024
- 折叠
摘要
关键词
功率MOS器件/单粒子栅穿/PSPICE电路模拟分类
能源科技引用本文复制引用
唐本奇,王燕萍,耿斌,陈晓华..功率MOS器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟[J].原子能科学技术,2000,34(2):161-165,5.
