半导体学报2006，Vol.27Issue(9)：1612-1615,4.
C波段3.5W/mm,PAE＞40%的InGaP/GaAs HBT功率管
C-Band 3.5W/mm InGaP/GaAs HBT Power Transistors with ＞40% Power-Added Efficiency
摘要
关键词
InGaP/GaAs/异质结双极晶体管/功率管分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
申华军,陈延湖,严北平,葛霁,王显泰,刘新宇,吴德馨..C波段3.5W/mm,PAE＞40%的InGaP/GaAs HBT功率管[J].半导体学报,2006,27(9):1612-1615,4.基金项目
中国科学院创新基金资助项目(批准号:KGCX2-SW-107) （批准号:KGCX2-SW-107）
