半导体学报2007，Vol.28Issue(10)：1615-1619,5.
常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究
Etching Si Wafer Using Atmospheric Pressure RF Cold Plasma Jet
赵玲利 1段小晋 1尹明会 1徐向宇 2王守国2
作者信息
- 1. 中国科学院微电子研究所,北京,100010
- 2. 中国科学院光电研究院,北京,100080
- 折叠
摘要
关键词
常压/射频/等离子体刻蚀/硅分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
赵玲利,段小晋,尹明会,徐向宇,王守国..常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究[J].半导体学报,2007,28(10):1615-1619,5.
