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氢化非晶氧化硅薄膜光致发光起源的探讨

马智训 廖显伯 何杰 程文超 岳国珍 王永谦 刁宏伟 孔光临

半导体学报Issue(2):162-167,6.
半导体学报Issue(2):162-167,6.

氢化非晶氧化硅薄膜光致发光起源的探讨

马智训 1廖显伯 1何杰 2程文超 2岳国珍 2王永谦 2刁宏伟 2孔光临2

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心表面物理国家实
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摘要

关键词

光致发光/氧化硅/半导体薄膜技术

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

马智训,廖显伯,何杰,程文超,岳国珍,王永谦,刁宏伟,孔光临..氢化非晶氧化硅薄膜光致发光起源的探讨[J].半导体学报,1999,(2):162-167,6.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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