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溅射非晶钴硅薄膜的晶化过程及其分析

李伟 徐昌学 姜传海 吴建生

理化检验-物理分册2006，Vol.42Issue(4)：163-166,4.
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理化检验-物理分册2006，Vol.42Issue(4)：163-166,4.

溅射非晶钴硅薄膜的晶化过程及其分析

CRYSTALLIZATION PROCESS AND ITS ANALYSIS OF AMORPHOUS Co-Si FILM PREPARED BY SPUTTERING

李伟 1徐昌学 2姜传海 1吴建生1

作者信息

  • 1. 上海交通大学材料科学与工程学院,高温材料及高温测试教育部重点实验室,上海,200030
  • 2. 中国石油天然气管道科学研究院,廊坊,065000
  • 折叠

摘要

关键词

非晶钴硅薄膜/X射线分析/自由能曲线

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

李伟,徐昌学,姜传海,吴建生..溅射非晶钴硅薄膜的晶化过程及其分析[J].理化检验-物理分册,2006,42(4):163-166,4.

基金项目

国家自然科学基金(50131030),上海AM基金(0211) （50131030）

理化检验-物理分册

OACSTPCD

1001-4012

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