| 注册
首页|期刊导航|半导体学报|GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真

GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真

刘奕 陈海昕 符松

半导体学报2004,Vol.25Issue(12):1639-1646,8.
半导体学报2004,Vol.25Issue(12):1639-1646,8.

GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真

CFD Simulation of Flow Patterns in GaN-MOCVD Reactor

刘奕 1陈海昕 1符松1

作者信息

  • 1. 清华大学工程力学系,北京,100084
  • 折叠

摘要

关键词

CFD/GaN/MOCVD/数值仿真

分类

数理科学

引用本文复制引用

刘奕,陈海昕,符松..GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真[J].半导体学报,2004,25(12):1639-1646,8.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:10232020),国家重点基础研究专项经费(批准号:2001CB409600),国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA311240)资助项目 (批准号:10232020)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文