|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|半导体学报|基于MEMS工艺制作的硅纳米线及其电学性质

基于MEMS工艺制作的硅纳米线及其电学性质

刘文平 李铁 杨恒 焦继伟 李昕欣 王跃林

半导体学报2006，Vol.27Issue(9)：1645-1649,5.
✕
半导体学报2006，Vol.27Issue(9)：1645-1649,5.

基于MEMS工艺制作的硅纳米线及其电学性质

Silicon Nanowires Fabricated by MEMS Technology and Their Electronic Performance

刘文平 1李铁 2杨恒 1焦继伟 1李昕欣 1王跃林1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
  • 2. 中国科学院研究生院,北京,100039
  • 折叠

摘要

关键词

硅纳米线/MEMS技术/表面吸附

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘文平,李铁,杨恒,焦继伟,李昕欣,王跃林..基于MEMS工艺制作的硅纳米线及其电学性质[J].半导体学报,2006,27(9):1645-1649,5.

基金项目

国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2006CB300403) （批准号:2006CB300403）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文