半导体学报2004，Vol.25Issue(12)：1647-1651,5.
利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点
Ordering Growth of InAs Quantum Dots with Ultra-Thin InGaAs Strained Layer on GaAs Substrates
摘要
关键词
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料/应力/量子点/有序生长分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张春玲,赵凤瑷,徐波,金鹏,王占国..利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点[J].半导体学报,2004,25(12):1647-1651,5.基金项目
国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000068303),国家自然科学基金(批准号:60290071,60276014,90101004,90201033)和国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA311070,2002AA311170)资助项目 （批准号:G2000068303）
