红外与毫米波学报2001，Vol.20Issue(3)：165-168,4.
MS界面输运特性对碲镉汞光伏器件I-V特性的影响
INFLUENCE OF MS INTERFACE TRANSPORT ON THE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTIC OF MCT PV DEVICE
摘要
Abstract
The influence of MS transport on the current-voltage characteristic of MCT PV device was investigated based on the current-voltage characteristics of MCT Schottkey barrier. The data of some devices were also discussed.关键词
I-V特性/金属-碲镉汞接触/碲镉汞光伏器件分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
胡晓宁,李言谨,方家熊..MS界面输运特性对碲镉汞光伏器件I-V特性的影响[J].红外与毫米波学报,2001,20(3):165-168,4.基金项目
国家自然科学基金(编号 19805014)和苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室开放课题部分资助项目 （编号 19805014）
