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电沉积CuInSe2(CIS)薄膜材料的组成与形貌

陶华超杜晶晶龙飞邹正光

电源技术2009，Vol.33Issue(3)：165-168,4.

Composition and morphology of CuInSe2(CIS)thin films by electrodeposition

陶华超 ¹杜晶晶 ¹龙飞 ¹邹正光¹

作者信息

CuInSe2(CIS)/薄膜/电沉积/硒化退火

信息技术与安全科学

陶华超,杜晶晶,龙飞,邹正光..电沉积CuInSe2(CIS)薄膜材料的组成与形貌[J].电源技术,2009,33(3):165-168,4.

广西自然科学基金资助项目(桂科自0542013) （桂科自0542013）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1002-087X

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