厚表层Si柔性绝缘衬底上SiC薄膜的外延生长OA北大核心CSCDCSTPCD
3C-SiC Growth on SOI with High Silicon-Over-Layer
利用LPCVD方法,在厚表层Si(SOL≈0.5μm)柔性绝缘衬底(SOI)(001)上外延生长出了可与硅衬底上外延晶体质量相比拟的SiC/SOI,表明SOI是一种很有潜力的柔性衬底. Raman 光谱结果表明SiC/SOI外延层比SiC/Si外延层有更大的残存应力,对此从理论上进行了解释.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和喇曼散射光谱(RAM)技术研究了外延材料的晶体结构、界面性质和应变情况.
王晓峰;王雷;赵万顺;孙国胜;黄风义;曾一平
中国科学院半导体研究所,新材料实验室,北京,100083中国科学院半导体研究所,新材料实验室,北京,100083中国科学院半导体研究所,新材料实验室,北京,100083中国科学院半导体研究所,新材料实验室,北京,100083中国科学院半导体研究所,新材料实验室,北京,100083中国科学院半导体研究所,新材料实验室,北京,100083
电子信息工程
SOISiC大失配残存应变空洞
《半导体学报》 2004 (12)
1652-1657,6
国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA311210)资助项目
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