半导体学报2004，Vol.25Issue(12)：1666-1671,6.
用于SiGe HBT器件的UHV/CVDn-型硅外延研究
UHV/CVD n--Type Silicon Epitaxy Used for SiGe HBT Device
摘要
关键词
UHV/CVD/硅外延/杂质分布/SiGe/HBT分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
黄文韬,陈长春,李希有,沈冠豪,张伟,刘志弘,陈培毅,钱佩信..用于SiGe HBT器件的UHV/CVDn-型硅外延研究[J].半导体学报,2004,25(12):1666-1671,6.基金项目
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA3Z1230) （批准号:2002AA3Z1230）
