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不同类型GaAs上应用约束刻蚀剂层技术进行电化学微加工

汤儆 王文华 庄金亮 崔晨

物理化学学报2009,Vol.25Issue(8):1671-1677,7.
物理化学学报2009,Vol.25Issue(8):1671-1677,7.

不同类型GaAs上应用约束刻蚀剂层技术进行电化学微加工

Electrochemical Micromachining on Different Types of GaAs by Confined Etchant Layer Technique

汤儆 1王文华 1庄金亮 1崔晨1

作者信息

  • 1. 厦门大学化学化工学院化学系,福建,厦门,361005
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摘要

关键词

阳极溶解/砷化镓/约束刻蚀剂层技术/刻蚀剂/捕捉剂

分类

化学化工

引用本文复制引用

汤儆,王文华,庄金亮,崔晨..不同类型GaAs上应用约束刻蚀剂层技术进行电化学微加工[J].物理化学学报,2009,25(8):1671-1677,7.

基金项目

The project was supported by the National Natural Science Foundation of China(20873112)and Fund of National Engineering Research Center for Optoelectronic Crystalline Materials of China(2005DC105003).国家自然科学基金(20873112)和国家光电子晶体材料工程技术研究中心开放课题(2005DC105003)资助项目 (20873112)

物理化学学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-6818

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