半导体学报2004，Vol.25Issue(12)：1672-1674,3.
4H-SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的研制
Fabrication of AlGaN/GaN HEMT Grown on 4H-SiC
摘要
关键词
4H-SiC/AlGaN/GaN/高电子迁移率晶体管分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
郝跃,杨燕,张进城,王平..4H-SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的研制[J].半导体学报,2004,25(12):1672-1674,3.基金项目
国家重点基础研究发展规划(编号:2002CB311904)和国防预先研究(编号:41308060106)资助项目 （编号:2002CB311904）
