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氢化非晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析

罗志 林璇英 林舜辉 余楚迎 林揆训 余云鹏 谭伟锋

物理学报2003,Vol.52Issue(1):169-174,6.
物理学报2003,Vol.52Issue(1):169-174,6.

氢化非晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析

Infrared analysis on hydrogen content and Si-H bonding configurations of hydrogenated amorphous silicon films

罗志 1林璇英 1林舜辉 1余楚迎 1林揆训 1余云鹏 1谭伟锋1

作者信息

  • 1. 汕头大学物理系,汕头,515063
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摘要

关键词

氢化非晶硅薄膜,红外吸收谱,氢含量/硅-氢键合模式

分类

数理科学

引用本文复制引用

罗志,林璇英,林舜辉,余楚迎,林揆训,余云鹏,谭伟锋..氢化非晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析[J].物理学报,2003,52(1):169-174,6.

基金项目

国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G2000028200)资助的课题. (批准号:G2000028200)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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