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冶金法制备太阳能级硅的原理及研究进展

罗大伟 张国梁 张剑 李军 李廷举

铸造技术2008,Vol.29Issue(12):1721-1726,6.
铸造技术2008,Vol.29Issue(12):1721-1726,6.

冶金法制备太阳能级硅的原理及研究进展

Principle and Research Progress on Preparation Solar Grade(SoG)Silicon by Metallurgical Route

罗大伟 1张国梁 1张剑 1李军 1李廷举1

作者信息

  • 1. 大连理工大学材料科学与工程学院,辽宁,大连,116024
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摘要

关键词

太阳能级硅/硅提纯/生产工艺/研究进展

分类

动力与电气工程

引用本文复制引用

罗大伟,张国梁,张剑,李军,李廷举..冶金法制备太阳能级硅的原理及研究进展[J].铸造技术,2008,29(12):1721-1726,6.

基金项目

国家自然科学基金重点项目(50474055) (50474055)

铸造技术

OA北大核心CSTPCD

1000-8365

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