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空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响

赵有文吕小红董志远段满龙孙文荣

半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：175-178,4.

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半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：175-178,4.

空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响

Influence of Vacancy and Interstitial on Material Property of Semi-Insulating InP Single Crystal

赵有文 ¹吕小红 ¹董志远 ¹段满龙 ¹孙文荣¹

作者信息

1. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
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摘要

关键词

磷化铟/半绝缘/空位/填隙

分类

电子信息工程

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赵有文,吕小红,董志远,段满龙,孙文荣..空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响[J].半导体学报,2007,28(z1):175-178,4.

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1674-4926

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