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MOCVD制备InN薄膜的光学性质

孔洁莹 张荣 刘斌 谢自力 张勇 修向前 郑有炓

半导体学报2007，Vol.28Issue(11)：1761-1764,4.
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半导体学报2007，Vol.28Issue(11)：1761-1764,4.

MOCVD制备InN薄膜的光学性质

Optical Properties of InN Films Grown by MOCVD

孔洁莹 1张荣 1刘斌 1谢自力 1张勇 2修向前 1郑有炓1

作者信息

  • 1. 南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093
  • 2. 南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京,210093
  • 折叠

摘要

关键词

氮化铟/吸收光谱/光致发光谱/椭圆偏振光谱

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

孔洁莹,张荣,刘斌,谢自力,张勇,修向前,郑有炓..MOCVD制备InN薄膜的光学性质[J].半导体学报,2007,28(11):1761-1764,4.

基金项目

国家重点基础研究发展规划(2006CB6049),国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金(批准号:6039070,60476030,60421003),教育部重大项目(批准号 （2006CB6049）

10416),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004),江苏省自然科学基金(批准号:BK2005210)和江苏省高等学校、南京大学研究生科研创新基金资助项目 （批准号:20050284004）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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