电子器件2008，Vol.31Issue(6)：1765-1768,4.
氮化镓HEMT器件的新型Cold FET模型
New Cold FET Model for GaN HEMT Devices
郑惟彬 1李晨 2李辉 1陈堂胜 1任春江1
作者信息
- 1. 单片集成电路与模块国家重点试验室,南京,210016
- 2. 中国电子科技集团公司基础部,北京,100038
- 折叠
摘要
关键词
氮化镓/高电子迁移率晶体管/Cold/FET模型分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
郑惟彬,李晨,李辉,陈堂胜,任春江..氮化镓HEMT器件的新型Cold FET模型[J].电子器件,2008,31(6):1765-1768,4.
