半导体学报2007，Vol.28Issue(11)：1782-1785,4.
PZT铁电场效应晶体管电学性能
Electrical Properties of a PZT Ferroelectric Field Effect Transistor
摘要
关键词
磁控溅射/MFMIS/铁电场效应晶体管/存储窗口分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
蔡道林,李平,翟亚红,张树人..PZT铁电场效应晶体管电学性能[J].半导体学报,2007,28(11):1782-1785,4.基金项目
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号 （）
51310z) （）
