物理学报2004，Vol.53Issue(6)：1788-1792,5.
利用双载流子四陷阱模型解释Zn:Fe:LiNbO3晶体记录过程中的自擦除现象
Study of self-erasing of recording process in Zn:Fe:LiNbO3 with the double-carrier four-trap model
摘要
关键词
双载流子四陷阱模型/自擦除/电子-空穴竞争/角度复用分类
数理科学引用本文复制引用
孟庆鑫,宫德维,张建隆,孙秀冬..利用双载流子四陷阱模型解释Zn:Fe:LiNbO3晶体记录过程中的自擦除现象[J].物理学报,2004,53(6):1788-1792,5.基金项目
教育部优秀青年教师资助计划,黑龙江省留学归国基金(批准号:LC01C11)和哈尔滨工业大学校基金(批准号:HIT2001.33)资助的课题. （批准号:LC01C11）
