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半导体学报
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MoSi2硅化物的形成及电子结构的研究
MoSi2硅化物的形成及电子结构的研究
李宝骐
季明荣
吴建新
许振嘉
阎江
半导体学报
Issue(3):179,1.
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半导体学报
Issue(3)
:179,1.
MoSi2硅化物的形成及电子结构的研究
李宝骐
1
季明荣
1
吴建新
1
许振嘉
1
阎江
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摘要
关键词
金属
/
半导体界面
/
光电子谱
/
硅化物
分类
信息技术与安全科学
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李宝骐,季明荣,吴建新,许振嘉,阎江..MoSi2硅化物的形成及电子结构的研究[J].半导体学报,1989,(3):179,1.
半导体学报
OA
CSCD
ISSN:
1674-4926
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